机译:掺杂鳍片场效应晶体管侧壁:由于高角度入射离子注入而导致硅中杂质的保留以及对器件性能的影响
机译:掺杂鳍片场效应晶体管侧壁:由于大角度入射离子注入而对硅中杂质的保留以及对器件性能的影响
机译:用于高性能和高度可靠的绝缘体上互补金属氧化物硅鳍片场效应晶体管的热离子注入
机译:离子注入对绝缘体上硅三栅鳍型场效应晶体管的源极和漏极延伸造成的阈值电压波动的起因,使用了三维工艺和器件仿真
机译:不同通道掺杂浓度对多晶硅纳米线型效应晶体管生物传感器性能的影响
机译:硅/硅锗调制掺杂的场效应晶体管,用于互补电路应用。
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:温度在10到295 K之间的磷掺杂的掩埋沟道绝缘体上硅场效应晶体管中的杂质传导
机译:栅格不匹配的(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)作为Gaas上的调制掺杂场效应晶体管:分子束外延生长和器件性能